GaN射频功率放大器：效率、线性度与散热

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GaN可提供较高功率密度，适合对体积和射频输出功率有要求的方案。但电压、功率、带宽及最高结温均为具体器件额定值，不能推断所有GaN方案都优于LDMOS或GaAs。

LDMOS在部分较低频段具有成熟度及成本优势；GaAs在部分较低功率、高频线性级中常见。应比较同频段、同波形、同冷却条件下的实际模块数据。

可持续功率首先受热设计约束

功率密度高也意味着热量集中。散热器、界面材料、基板温度和气流是设计输入，而不是采购后的附件。连续波或高占空比条件下，允许输出功率往往先受到热边界限制。

低占空比脉冲可能允许较高峰值功率，但必须给出脉宽、占空比、重复频率与允许温升，不能把脉冲额定功率当作连续波能力。

效率与线性度需要折中

接近饱和工作通常可提高效率，但会带来非线性；输出回退可改善线性度，但效率可能下降。对高峰均比调制信号，应明确线性度、回退点和效率测量条件。Doherty等架构可改善特定回退区间表现，但并非每个产品都采用或支持。

实际负载失配会影响输出、发热与器件应力，应确认允许VSWR、保护行为及恢复条件。

询价清单

请提供频段、饱和与1 dB压缩输出功率、增益、效率目标、供电、CW或脉冲波形、占空比、负载条件以及机械和散热限制。关于认证、可靠性或量产状态，请针对具体型号书面确认。